SiCインゴット
SiC ingot
SiCインゴット
SiCインゴットは、シリコン（Si）と炭素（C）を化学的に結合させた炭化ケイ素（SiC）を原料とし、昇華法（改良レーリー法など）によって高温環境下で単結晶として成長させた円柱状の素材です。一般的なサイズは直径4〜6インチ、長さ5〜10cm程度で、ウエハー製造の元となる基材として使用されます。
製造工程では、SiとCを反応させて高純度のSiCパウダーを合成し、種結晶上に蒸着させて結晶成長を行います。成長には2000℃を超える高温が必要であり、成長中の観察が困難なため、AI技術などを用いた高度なプロセス管理が導入されています。完成したインゴットは、マルチワイヤソーやレーザスライシングなどの技術でスライスされ、SiCウエハーとして加工されます。
SiCインゴット
— 次世代パワーデバイスを支える結晶素材 —
SiC（炭化ケイ素）インゴットは、高耐圧・高温・高周波環境に対応する次世代パワー半導体の基盤となる高機能結晶材料です。
トリニティーでは、4H-SiCを中心とした高品質インゴットを取り扱い、エピタキシャル成長やウエハー加工に適した仕様での供給に対応しています。
高熱伝導性・広いバンドギャップ・高絶縁破壊電界を備えたSiCは、電力損失の大幅な低減と装置の小型・高効率化を実現し、EV、再生可能エネルギー、産業機器分野での需要が急拡大しています。
また、結晶成長から加工・検査・トレーサビリティ管理までを一貫して支援し、安定供給と品質保証を両立。
トリニティーは、SiCインゴットの確かな品質と柔軟な対応力で、次世代パワーデバイスの進化を支えます。
導入用途・販売実績
次世代パワーデバイスを支えるSiCインゴットの導入実績と応用展開
トリニティーのSiCインゴットは、高耐圧・高温動作・低損失が求められるEVインバーター、急速充電器、産業用モーター制御、太陽光パワーコンディショナー、5G基地局などの先端分野において、パワーデバイス基板材料として多数導入されています。
4インチ・6インチ・8インチ対応の高品質SiCインゴットを、国内外のウエハーメーカーやデバイスメーカーに安定供給。結晶欠陥の低減、抵抗値の均一性、結晶方位の指定など、エピ成長や加工工程に適した仕様調整にも柔軟に対応しています。
日本国内のパワーデバイス開発企業をはじめ、インド・欧州のEV・エネルギー関連メーカーへの納入実績を通じて、技術対応力と供給信頼性を高く評価されています。
トリニティーは、SiCインゴットの選定から検査・加工・納品までを一貫して支援し、次世代電動化・高周波技術の進化を足元から支えます。
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