GaNウエハー
GaN wafer
GaNウエハー
GaNウエハーとは、窒化ガリウム（GaN：Gallium Nitride）を基材とした半導体ウエハーであり、特に高周波・高電圧・高効率が求められる次世代パワーエレクトロニクスやRF（高周波）デバイスにおいて注目されている先進材料です。GaNはワイドバンドギャップ半導体に分類され、シリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）と比較しても、より高い絶縁破壊電界強度と電子移動度を兼ね備えており、スイッチング速度や電力変換効率において優れた性能を発揮します。
GaNウエハーは、5G基地局やレーダー、衛星通信といった高周波通信機器に加え、電気自動車（EV）のオンボードチャージャーやDC-DCコンバータ、さらにはデータセンター向けの高効率電源など、幅広い分野での応用が進んでいます。
GaNウエハー
— 高周波・高効率を実現する先端素材 —
GaN（窒化ガリウム）ウエハーは、高周波・高耐圧・高速スイッチング性能に優れた次世代半導体材料であり、電力変換や通信分野で注目されています。
トリニティーでは、GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-GaNなど多様な構造のGaNウエハーを取り扱い、RFデバイス、パワーデバイス、5G通信、衛星機器などの用途に対応しています。
高電子移動度・広いバンドギャップ・低オン抵抗といった特性を持つGaNは、高効率化・小型化・低損失化を可能にし、次世代通信・電動化技術の進展を加速させます。
また、試作から量産までの加工・検査・納品を一貫して支援する体制により、技術開発のスピードと品質を両立。
トリニティーは、GaNウエハーの特性を最大限に活かした素材選定と供給を通じて、未来の高性能デバイスづくりを支えます。
導入用途・販売実績
高周波・高耐圧分野で拡大するGaNウエハーの導入実績と応用展開
トリニティーのGaNウエハーは、5G通信、衛星機器、電源モジュール、EV充電器、レーダーシステムなど、高周波・高耐圧が求められる先端分野で多数導入されています。
GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-GaNなど多様な構造に対応し、RFデバイスやパワーデバイスの開発・量産に適した高品質ウエハーを提供。
高電子移動度・広いバンドギャップ・低オン抵抗といったGaN特有の特性は、デバイスの小型化・高効率化・低損失化を実現し、次世代通信・電動化技術の進展を加速させています。
日本国内の通信機器メーカーをはじめ、欧州・アジアのパワーデバイス開発企業への納入実績を通じて、技術対応力と供給安定性を高く評価されています。
トリニティーは、GaNウエハーの選定から仕様調整・検査・納品までを一貫して支援し、未来の高性能デバイスづくりを支えます。
他の製品を見る
お問い合わせ
製品に関するご相談、加工・検査のご依頼、資料請求、その他ご質問など、
どんなことでもお気軽にお問い合わせください。
専門スタッフが内容を確認のうえ、迅速かつ丁寧に対応させていただきます。
ご希望の仕様や納期、ご予算に関するご相談も承っております。
試作から量産まで、お客様のニーズに合わせた最適なご提案をいたします。
お急ぎの方はお電話にてお問い合わせください。