SOIウエハー
SOI wafer
SOIウエハー
SOIウエハーとは、「Silicon On Insulator（シリコン・オン・インシュレーター）」の略称で、シリコン基板の上に酸化膜などの絶縁層（BOX層）を形成し、その上に薄いシリコン層（デバイス層）を積層した三層構造のウエハーです。この構造により、トランジスタなどのデバイスが基板から電気的に分離され、寄生容量やリーク電流を大幅に低減することが可能となります。
SOIウエハー
— 高性能・低消費電力を実現する革新基板 —
SOI（Silicon On Insulator）ウエハーは、絶縁層上にシリコン層を形成した構造を持ち、寄生容量の低減や高速動作を可能にする先端半導体基板です。
トリニティーでは、BOX厚・トップ層厚・抵抗値など多様な仕様に対応したSOIウエハーを取り扱い、ロジックIC、RFデバイス、MEMS、光デバイスなど幅広い用途に対応しています。
低消費電力・高耐圧・高周波特性に優れたSOIは、微細化限界を超える設計自由度を提供し、5G通信・自動車・医療機器分野での活用が進んでいます。
また、試作から量産までの加工・検査・納品を一貫して支援する体制により、開発スピードと品質の両立を実現。
トリニティーは、SOIウエハーの特性を最大限に活かした素材選定と供給を通じて、次世代デバイスの進化を支えます。
導入用途・販売実績
微細化・高周波・MEMS分野を支えるSOIウエハーの導入実績と応用展開
トリニティーのSOI（Silicon On Insulator）ウエハーは、微細化・高周波動作・低消費電力が求められる先端デバイスにおいて、構造制御性と電気的特性に優れた基板として多数導入されています。
シリコン基板に限らず、ガラス・石英・サファイアなどとの異種接合構造にも対応し、ロジックIC、RFデバイス、MEMS、光学センサー、フォトニクス分野での開発・量産に活用されています。
BOX厚・トップ層厚・結晶方位・抵抗値などの仕様調整に柔軟に対応し、日本国内の半導体メーカー、MEMS開発企業、光学機器メーカーをはじめ、欧州・アジアの研究機関への納入実績を多数保有。
トリニティーは、SOIウエハーの選定から加工・検査・納品までを一貫して支援し、次世代デバイスの高性能化と工程安定性を支えます。
他の製品を見る
お問い合わせ
製品に関するご相談、加工・検査のご依頼、資料請求、その他ご質問など、
どんなことでもお気軽にお問い合わせください。
専門スタッフが内容を確認のうえ、迅速かつ丁寧に対応させていただきます。
ご希望の仕様や納期、ご予算に関するご相談も承っております。
試作から量産まで、お客様のニーズに合わせた最適なご提案をいたします。
お急ぎの方はお電話にてお問い合わせください。