SiCウェハー|製品一覧|半導体シリコンウェハーの専門商社、株式会社トリニティーの取り扱い製品をご紹介いたします。

製品案内

SiCウェハー

SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)は、ケイ素(Si)と炭素(C)の化合物です。
シリコンに比べて効率よく電力を変換でき熱伝導率も3倍以上。結晶をつくるのに極めて高い熱が必要なうえ、固く、従来の半導体に比べてはるかに効率よく電力を変換でき、変換時に発生する熱も少ない。

高品質なSiCウェハーをリーズナブルな価格でご提供させて頂きます。
SiCウェハーは今後益々使用増加が期待されております。
トリニティーでは1枚からご購入頂けますので、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCの加工についても、ダイシング、厚み指定、接合等の加工も承ります。
SiCウェハーの加工が必要な際は是非ご相談下さい。



■4inc 4H-N スペック 500um

項目 規格
グレード ハイグレード ミドルグレード ダミー
サイズ 4インチ
ポリタイプ 4H-N
厚み 500±25μm
直径 100mm±0.5mm
抵抗値 Ω・cm 0.01~0.03
マイクロパイプcm-2 ≦5 ≦30 ≦100
1次オリフラ <11-20>±5
1次オリフラ長さ 32.5mm±2.0mm
2次オリフラ 90°CW .from Primary flat ±5°
2次オリフラ長さ 18.0mm±2mm
off axis Wafer Orientation 4.0° toward 〈11-20 〉 ±0.5°
TTV <5µm
Bow <10µm
Warp <20µm
面状態 両面ポリッシュ
 


■4inc 4H-N スペック 350um
項目 規格
グレード ハイグレード ミドルグレード ダミー
サイズ 4インチ
ポリタイプ 4H-N
厚み 350±25μm
直径 100mm
抵抗値 Ω・cm 0.015~0.025 0.015~0.028
マイクロパイプcm-2 ≦0.5 ≦2 ≦15
1次オリフラ <10-10>±5°
1次オリフラ長さ 32.5mm±2.0mm
2次オリフラ 90°CW .from Primary flat ±5°
2次オリフラ長さ 18.0mm±2mm
On axis Wafer Orientation 4.0° toward 〈11-20 〉 ±0.5°
TTV <10µm <15µm
Bow <25µm <25µm
Warp <35µm <40µm
面状態 Si面:CMP仕上げ:Ra <0.5 nm
C面:光学鏡面仕上げ:Ra <1 nm


■4inc 4H-SI スペック 500um
項目 規格
グレード ハイグレード ミドルグレード ダミー
サイズ 4インチ
ポリタイプ 4H-Si
厚み 500±25μm
直径 100mm
抵抗値 Ω・cm ≧1E7Ω・cm ≧1E5Ω・cm
マイクロパイプcm-2 ≦1 ≦5 ≦15
1次オリフラ <10-10>±5°
1次オリフラ長さ 32.5mm±2.0mm
2次オリフラ 90°CW .from Primary flat ±5°
2次オリフラ長さ 18.0mm±2mm
On axis Wafer Orientation 〈0001〉±0.5°
TTV <10µm <15µm
Bow <25µm <25µm
Warp <35µm <40µm
面状態 Si面:CMP仕上げ:Ra <0.5 nm
C面:光学鏡面仕上げ:Ra <1 nm


■6inc 4H-N スペック 350um
項目 規格
グレード ハイグレード ミドルグレード ダミー
サイズ 6インチ
ポリタイプ 4H-N
厚み 350±25μm
直径 150mm
抵抗値 Ω・cm 0.015~0.025 0.015~0.028
マイクロパイプcm-2 ≦0.5 ≦2 ≦15
1次オリフラ <10-10>±5°
1次オリフラ長さ 47.5mm±2.0mm
結晶方位 off axis 4.0° toward 〈11-20 〉 ±0.5°
TTV <15µm
Bow <40µm
Warp <60µm
面状態 Si面:CMP仕上げ:Ra <0.5 nm
C面:光学鏡面仕上げ:Ra <1 nm


■6inc 4H-SI スペック 500um
項目 規格
グレード ハイグレード ミドルグレード ダミー
サイズ 6インチ
ポリタイプ 4H-Si
厚み 500±25μm
直径 150mm±0.2mm
抵抗値 Ω・cm ≧1E5Ω・cm
マイクロパイプcm-2 ≦1 ≦5 ≦15
1次オリフラ Notch
結晶方位 On axis〈0001 〉 ±0.5°
TTV <15µm
Bow <40µm
Warp <60µm
面状態 Si面:CMP仕上げ:Ra <0.5 nm
C面:光学鏡面仕上げ:Ra <1 nm


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