SiCウェハー
SiC（炭化ケイ素，シリコンカーバイド）は、ケイ素（Si）と炭素（C）の化合物です。
シリコンに比べて効率よく電力を変換でき熱伝導率も3倍以上です。
高品質なSiCウェハーをリーズナブルな価格でご提供させて頂きます。
SiCウェハーは今後益々使用増加が期待されております。
トリニティーでは1枚からご購入頂けますので、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCの加工についても、ダイシング、厚み指定、接合等の加工も承ります。
SiCウェハーの加工が必要な際は是非ご相談下さい。
■4inc 4H-N スペック 500um
| 項目 | 規格 | ||
| グレード | ハイグレード | ミドルグレード | ダミー |
| サイズ | 4インチ | ||
| ポリタイプ | 4H-N | ||
| 厚み | 500±25μm | ||
| 直径 | 100mm±0.5mm | ||
| 抵抗値 Ω・cm | 0.01~0.03 | ||
| マイクロパイプcm-2 | ≦5 | ≦30 | ≦100 |
| 1次オリフラ | ＜11-20＞±5 | ||
| 1次オリフラ長さ | 32.5mm±2.0mm | ||
| 2次オリフラ | 90°CW .from Primary flat ±5° | ||
| 2次オリフラ長さ | 18.0mm±2mm | ||
| off axis Wafer Orientation | 4.0° toward 〈11-20 〉 ±0.5° | ||
| TTV | ＜5µm | ||
| Bow | ＜10µm | ||
| Warp | ＜20µm | ||
| 面状態 | 両面ポリッシュ |
||
■4inc 4H-N スペック 350um
| 項目 | 規格 | ||
| グレード | ハイグレード | ミドルグレード | ダミー |
| サイズ | 4インチ | ||
| ポリタイプ | 4H-N | ||
| 厚み | 350±25μm | ||
| 直径 | 100mm | ||
| 抵抗値 Ω・cm | 0.015~0.025 | 0.015~0.028 | |
| マイクロパイプcm-2 | ≦0.5 | ≦2 | ≦15 |
| 1次オリフラ | ＜10-10＞±5° | ||
| 1次オリフラ長さ | 32.5mm±2.0mm | ||
| 2次オリフラ | 90°CW .from Primary flat ±5° | ||
| 2次オリフラ長さ | 18.0mm±2mm | ||
| On axis Wafer Orientation | 4.0° toward 〈11-20 〉 ±0.5° | ||
| TTV | ＜10µm | ＜15µm | |
| Bow | ＜25µm | ＜25µm | |
| Warp | ＜35µm | ＜40µm | |
| 面状態 | Si面：CMP仕上げ：Ra ＜0.5 nm C面：光学鏡面仕上げ：Ra ＜1 nm |
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■4inc 4H-SI スペック 500um
| 項目 | 規格 | ||
| グレード | ハイグレード | ミドルグレード | ダミー |
| サイズ | 4インチ | ||
| ポリタイプ | 4H-Si | ||
| 厚み | 500±25μm | ||
| 直径 | 100mm | ||
| 抵抗値 Ω・cm | ≧1E7Ω・cm | ≧1E5Ω・cm | |
| マイクロパイプcm-2 | ≦1 | ≦5 | ≦15 |
| 1次オリフラ | ＜10-10>±5° | ||
| 1次オリフラ長さ | 32.5mm±2.0mm | ||
| 2次オリフラ | 90°CW .from Primary flat ±5° | ||
| 2次オリフラ長さ | 18.0mm±2mm | ||
| On axis Wafer Orientation | 〈0001〉±0.5° | ||
| TTV | ＜10µm | ＜15µm | |
| Bow | ＜25µm | ＜25µm | |
| Warp | ＜35µm | ＜40µm | |
| 面状態 | Si面：CMP仕上げ：Ra ＜0.5 nm C面：光学鏡面仕上げ：Ra ＜1 nm |
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■6inc 4H-N スペック 350um
| 項目 | 規格 | ||
| グレード | ハイグレード | ミドルグレード | ダミー |
| サイズ | 6インチ | ||
| ポリタイプ | 4H-N | ||
| 厚み | 350±25μm | ||
| 直径 | 150mm | ||
| 抵抗値 Ω・cm | 0.015~0.025 | 0.015~0.028 | |
| マイクロパイプcm-2 | ≦0.5 | ≦2 | ≦15 |
| 1次オリフラ | ＜10-10＞±5° | ||
| 1次オリフラ長さ | 47.5mm±2.0mm | ||
| 結晶方位 | off axis 4.0° toward 〈11-20 〉 ±0.5° | ||
| TTV | ＜15µm | ||
| Bow | ＜40µm | ||
| Warp | ＜60µm | ||
| 面状態 | Si面：CMP仕上げ：Ra ＜0.5 nm C面：光学鏡面仕上げ：Ra ＜1 nm |
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■6inc 4H-SI スペック 500um
| 項目 | 規格 | ||
| グレード | ハイグレード | ミドルグレード | ダミー |
| サイズ | 6インチ | ||
| ポリタイプ | 4H-Si | ||
| 厚み | 500±25μm | ||
| 直径 | 150mm±0.2mm | ||
| 抵抗値 Ω・cm | ≧1E5Ω・cm | ||
| マイクロパイプcm-2 | ≦1 | ≦5 | ≦15 |
| 1次オリフラ | Notch | ||
| 結晶方位 | On axis〈0001 〉 ±0.5° | ||
| TTV | ＜15µm | ||
| Bow | ＜40µm | ||
| Warp | ＜60µm | ||
| 面状態 | Si面：CMP仕上げ：Ra ＜0.5 nm C面：光学鏡面仕上げ：Ra ＜1 nm |
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